Dünyanın en büyük yarı-iletken hafıza çip üreticilerinden biri olan Samsung, bugün gerçekleştirilen etkinlikte yeni CXL (Compute Express Link) bellek modüllerini ve HBM3E belleğini tanıttı. Gelin detaylarına birlikte göz atalım.
Samsung, süper bilgisayarlara yön verecek
Bugün şirket, yeni bellek modülleri ve HBM3E belleğini tanıttı. Bu ürünler, yapay zeka ve diğer yüksek performanslı hesaplama gereksinimleri için bulut sunucuları ve süper bilgisayarlarında kullanılacak.
Silikon Vadisi’ndeki Santa Clara Bilgisayar Tarihi Müzesi’nde gerçekleşen Memory Con 2024 fuarında Samsung, CXL Bellek Modülü – Kutu (CMM-B), CXL Bellek Modülü – DRAM (CMM-D), CXL Bellek Modülü Hibrit Katmanlı Bellek (CMM-H TM) ve HBM3E 12H belleğini tanıttı.
CXL Bellek Modülü – Kutu (CMM-B), bir DRAM ürünü olarak karşımıza çıkıyor. E3.S form faktörü ile sekiz CMM-D cihazını barındırabiliyor ve 2 TB’a kadar DRAM kapasitesi sunuyor. 60 GB/s bant genişliğine ve yalnızca 596 nano saniyelik bir gecikmeye sahip. Yapay zeka, Veri Analitiği, Yaratıcı yapay zeka ve Bellek İçi Veritabanı (IMDB) gibi uygulamalarda kullanılabiliyor.
CMM-D, Samsung’un DRAM belleklerini CXL açık standart arayüzüyle kullanan bir CXL Bellek Modülü – DRAM’dır. CPU ile bellek genişletme cihazları arasında verimli ve düşük gecikmeli bağlantı sağlıyor.
Red Hat ve Samsung, CXL açık kaynaklı ve referans modelleri geliştirmek için işbirliklerini sürdürecekler. Ayrıca çeşitli diğer bellek ve depolama ürünleri üzerinde işbirliği yapacaklar.
Samsung, endüstrideki ilk Rack-Level belleğini Supermicro ile birlikte sergiledi. Bu bellek, talepkar iş yüklerini yöneten veri merkezleri için bellek bant genişliğini ve kapasitesini artırmak için kullanılacak. Fazlasıyla ölçeklenebilir ve modern uygulamalar için verimsizlik ve esneklik eksikliği olan standart mimarileri değiştirebilir.
Samsung, HBM3E belleği tanıttı
Broadcom tarafından VMWare ile işbirliği yaparak Samsung, Peaberry projesini tanıttı. Bu, hipervizörler için dünyanın ilk FPGA tabanlı katmanlı bellek olacak. CXL Bellek Modülü Hibrit Katmanlı Bellek (CMM-H TM) olarak adlandırılan bu bellek, DRAM ve NAND flaş belleği bir Add-In Kart (AIC) biçiminde birleştiren hibrit bir çözüm olacak ve bellek yönetimi zorluklarıyla başa çıkabilecek, performansı artıracak, iş sürelerini optimize edecek ve toplam maliyeti azaltacak.
HBM teknolojisi kullanılarak elde edilen en yüksek kapasiteyi sunan dünyanın ilk 12 yığın HBM3E DRAM bellek yongası olan Samsung’un HBM3E 12H belleği, Memcon 2024’te de sergilendi. HBM3E 12H bellek modülleri, dikey yoğunluğu önceki versiyonuna göre %20’den fazla artıran Samsung’un gelişmiş termal sıkıştırma iletken film (TC NCF) teknolojisine sahip. Samsung, HBM3E 12H için bu yılın ilk yarısında seri üretime geçmeyi planlıyor.
